産学連携による技術開発

長岡技術科学大学との共同発表でExcellent Paper Awardを受賞

「15th MIRAI, 2022」においてExcellent Paper Awardを受賞当研究について「15th MIRAI, 2022」という国際会議においてExcellent Paper Awardを受賞しました。 長岡技術科学大学との共同発表で、関連技術の特許も出願しています。（国際出願番号：PCT/JP2021/033940） その他、多数の研究開発での業績も上げております。 今後は加工変質層深さ低減のための研削・研磨技術の発表をさらに加速し、GaN基板加工の課題解決に貢献することを目指します。  

研究開発業績

口頭発表

  • Analysis of damage propagation into subsurface of GaN substrate during mechanical polishing and mirror-grinding, The 15th MIRAI conference Aug. 19th 2022, Nigata, Japan（Excellent paper award）
  • Analysis of subsurface damage structures for mechanically processed GaN substrates, International Conference on Planarization Technology Oct. 30th 2023, Kanazawa, Japan
  • Analysis of sub-surface damages induced by mechanical process toward establishment of highly efficient wafering process for GaN substrates, 14th International Conference on Nitride Semiconductors, Nov. 16th 2023, Fukuoka, Japan

論文

  • Rapid Estimation of Removal Rate of Chemical Mechanical Polishing of Gallium Nitride Substrate by Quantitative Diagnosis of Cathodoluminescence Images, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2021 10 106007

窒化物半導体基板研磨技術開発施設

長岡技術科学大学

會田研究室との共同研究
長岡技術科学大学 結晶工学研究室 | (nagaokaut.ac.jp)

新潟県ナノテク研究センター

大規模クリーンルーム下における開発  

NARIC

試作加工
※ NARICをメイン拠点として開発などを行っております。

アクセス

住所
新潟県長岡市新産4丁目1-10
アクセス
関越自動車道 長岡ICより約15分 上越新幹線 長岡駅より車 で約20分

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