研究開発職

募集内容

    1. 次世代半導体基板（GaN基板、SiC基板など）の新規基板加工技術開発
    2. 次世代半導体基板の加工品質評価・分析
    3. 開発技術の特許出願

勤務地

三桜工業 古河事業所（茨城県古河市）
※入社後、数年間は三桜が借りている施設「インキュベートセンターNARIC（新潟県長岡市）」へ転勤となります

必要な経験・資格

必須

    • 物理、化学、機械のいずれかに関する知識
    • 材料分析、精密加工、材料工学のいずれかに関する知識

歓迎要件

    • 次世代半導体基板（GaN基板、SiC基板など）や化合物半導体基板の結晶加工、結晶評価、結晶成長に関する技術開発経験
    • 英語力（TOEIC(R)　600点以上）

詳しくは三桜工業 採用サイトをご覧ください。
三桜工業採用サイト 　｜　研究開発職 募集要項

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