2023年11月12日～17日、ヒルトン福岡シーホーク（福岡県福岡市）で開催された「第14回窒化物半導体国際会議（ICNS-14, The 14th International Conference of Nitride Semiconductors、主催：日本結晶成長学会、日本学術振興会R032 産業イノベーションのための結晶成長委員会、一般社団法人ワイドギャップ半導体学会 後援：応用物理学会）」に、当社技術本部 研究開発部が参加しました。アジア・ヨーロッパ・米国で1995年より開催されており、各国の大学・企業などから窒化物半導体関連の研究者が一堂に会するため、講演や研究発表にとどまらず、研究者同士の情報交換や共同研究のきっかけとしての役割も持っています。
三桜工業では窒化物半導体基板の受託加工サービスに関する展示を行うとともに、ポスターセッションにて、GaN（窒化ガリウム）基板の研磨加工により導入されるダメージ層の新しい解析手法について発表を行いました。
展示ブースには、研究者だけではなく多くの企業関係者も来訪され、三桜工業の受託基板加工サービスを広く知っていただくことができました。当社では、今後も次世代基板加工技術の研究開発、ならびに受託基板加工サービスのお客様への提供を推進し、窒化物半導体技術の発展にも貢献してまいります。