2024年11月3日（日）～8日（金）に、米国 ハワイ州で開催された『第12回窒化物半導体国際ワークショップ（IWN2024, 12th International Workshop on Nitride Semiconductors）』に参加しました。
IWNは、各国の大学・企業・各機関の窒化物半導体関連の研究者が一堂に会する世界最大規模の国際会議で、参加者同士の交流や情報交換のみならず、共同研究の出発点となる場としての役割も果たしています。
三桜工業のブースでは、窒化物半導体基板の受託加工サービスに関する展示を行うとともに、長岡技術科学大学と共同で「GaN（窒化ガリウム）基板の粗研削加工により導入される加工変質層の評価」をテーマとするポスター発表を行いました。
今回の国際学会への出展では、多くの研究者や企業関係者の方々に当社のサービスをご紹介するとともに、技術開発の最新状況などを知ることができました。当社では、今後も次世代基板加工技術の開発、ならびに受託基板加工サービスの提供を推進してまいります。
