TECHNOLOGY

次世代半導体として期待されているGaN、AlN、SiCなどの受託基板加工の事業化を目指して、2021年より受託加工サービスを開始しました。

次世代半導体として期待されているGaN、AlN、SiCなどの受託基板加工の事業化を目指して、2021年より受託加工サービスを開始しました。
大学との共同研究などで培った高品質な基板加工を顧客に提供し、省エネルギー半導体デバイスの普及に貢献することを目指します。

未来の省エネを実現する窒化物半導体

半導体パワーデバイスの分野において、次世代材料の一つとして注目を浴びている「窒化物半導体」。次世代材料を用いた半導体の市場規模が大きくなると予想されています。
窒化物半導体パワーデバイスの実現により、電気自動車や、風力発電・太陽光発電で得られたクリーンエネルギーを利用する際のシステムを省エネルギー化することが期待されています。

窒化物半導体の需要は上昇中！

窒化物半導体デバイスが実現すると

LED照明 による省エネ

効率的な エネルギー変換

電気自動車の インバータ技術

オール電化の 電力制御技術

窒化物半導体デバイスの実現により
エネルギーマネジメント技術が向上し、より豊かな暮らしに！！

基板研磨技術開発

窒化物半導体デバイスの製造では、 化学気相成長法を用いて基板上に半導体膜を形成します。半導体膜形成の前工程である基板研磨工程は、 半導体特性に影響を与える重要なプロセスです。
基板研磨工程で華板表面が荒れてしまったり、加工歪が導入されてしまったりすると、 成膜した半導体膜にも欠陥が生じ、 半導体特性が劣化してしまいます。三桜工業では、 原子レベルオーダーの表面粗さと加丁歪が専入されていない基板表面を実現するための基板研磨技術を開発しています。

基板再利用技術開発

窒化物半導体デバイス普及の課題の一つとして基板のコストが高いことがあげられます。
これを解決するために三桜工業ではデバイス製造で使用した基板を再利用する技術を開発しています。
再利用技術の評価においては成膜技術やデバイス製造技術の知見も必要となるため、 大学や他企業とも連携しながら、 開発を推進しています。

研磨で薄膜を除去し、窒化物半導体基板の再利用を可能にします。