GaNSiCAlN

難削材である次世代半導体材料「GaN・SiC・AlN」の加工を行うことにより、最高のパフォーマンスを引き出します。

高品質な基板加工により
窒化物半導体デバイスの
品質・収率向上に貢献します。

University of California Santa Barbara の Solid State Lighting & Energy Electronics Centerによる
GaNのレーザーに関する研究 や 国立大学法人長岡技術科学大学と次世代半導体基板加工に関する
共同研究の成果を基に高品質な受託基板加工サービスを提供いたします。

窒化物半導体基板加工サービスを通じて
カーボンニュートラルな社会の実現を目指します。

私たち三桜工業のMission(使命)は、ものづくり企業として製品の提供とグローバルな事業活動を通じて
ステークホルダーの「安心と安全」「環境保全」のために力を尽くす事です。
環境負荷軽減のため「窒化物半導体基板加工サービス」事業の取り組みを進め
省エネルギー半導体の普及に貢献し、カーボンニュートラルな社会の実現を目指します。

採用情報

次世代半導体基板の加工技術開発を担う人材を募集しています!

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